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在WSe2通道内的垂直电场可使用双栅进行调节，电能电价电导致电荷在WSe2两个界面上积累。垂直电场下的内建p-n同质结有助于光生电子-空穴对的分离，替代替代同时也大大降低了光电晶体管的噪声，导致了高达≈2×1013 Jones的光电探测度。
S:源极，项目项目D:漏极，TG:顶栅，BG:底栅，Gr:石墨烯，hBN-T/B:顶部/底部hBN纳米片。总之，改革垂直双栅WSe2光电晶体管具有可调线性光响应和高性能，为多层2D半导体的高分辨率和定量光检测提供了一个有前景的策略。图3 双栅WSe2光电探测器的光响应特性，化交Vds=0.1Va-c)顶栅电压Vtg分别为−1，0，3V时，光电流(Iph)和激光功率密度(Pin)的对数关系图。
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所有光电流扫描的底栅电压Vbg=−70V，替代替代激光功率约30nW。
左下角和右下角的插图分别描绘了器件在p型和n型分支中的能带结构，项目项目绿色箭头线表示肖特基势垒高度。最近，改革美国斯坦福大学的JohnP.A.Ioannidis教授团队更新了全球十万科学家的排名。
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